SOINMOSFET相关论文
绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(tSi)的器件特性,对进一步提升高温抗辐照......
研究了一种采用非对称结构和注 Ge的部分耗尽 0 .8μm SOI n MOSFET的浮体效应 ,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约 1V,......
报道了用新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱和界面电荷的理论和实验研究 .理论分析表明 :由于正......
提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱......
本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)......
研究了一种采用非结构和注Ge的部分耗尽0．8μmSOInMOSFET的浮体效应，实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约1V，减轻反常亚阈值......
提出了一种新型的Schottky体接触结构，能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应，这种结构可以通过在源区形成一个浅的n^+-p结和二......
分析并模拟了SOINMOSFET的电源电压、工艺参数、沟道长度等对器件内部电场的影响,并对器件的低压热载流子效应进行实验测试,得到了......
